极紫外光刻 -凯发app

       《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的最新专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模版、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。最后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

目  录

第1章 绪论

1.1  光刻技术的历史背景/1 

1.2  光刻技术的组成部分 /3 

1.3  材料考量和多层膜反射镜/4 

1.4  一般性问题 /11 

习题/12 

参考文献/12

第2章  euv光源

2.1  激光等离子体光源/15 

2.2  放电等离子体光源/28 

2.3  自由电子激光器/32 

习题/36 

参考文献/36

第3章  euv光刻曝光系统

3.1  真空中的euv光刻/40 

3.2  照明系统 /45 

3.3  投影系统/47 

3.4  对准系统/52 

3.5  工件台系统/53 

3.6  聚焦系统 /54 

习题/55 

参考文献/56

第4章  euv掩模

4.1  euv掩模结构/60 

4.2  多层膜和掩模基板缺陷/66 

4.3  掩模平整度和粗糙度/71 

4.4  euv掩模制作/74 

4.5  euv掩模保护膜/75 

4.6  euv掩模放置盒/83

4.7  其他euv掩模吸收层与掩模架构/85 

习题/88 

参考文献/88

第5章  euv光刻胶

5.1  euv化学放大光刻胶的曝光机制/95 

5.2  euv光刻中的随机效应/98 

5.3  化学放大光刻胶的新概念/108 

5.4  金属氧化物euv光刻胶/110 

5.5  断裂式光刻胶/111 

5.6  真空沉积光刻胶/111 

5.7  光刻胶衬底材料/113 

习题/114 

参考文献/115

第6章  euv计算光刻

6.1  传统光学邻近校正的考量因素/121 

6.2  euv掩模的三维效应/125 

6.3  光刻胶的物理机理/133 

6.4  euv光刻的成像优化/135 

习题/138 

参考文献/139

第7章  euv光刻工艺控制

7.1  套刻/144

7.2  关键尺寸控制/149 

7.3  良率 / 151 

习题/155 

参考文献/156

第8章  euv光刻的量测

8.1  掩模基板缺陷检测/160 

8.2  euv掩模测评工具/163 

8.3  量产掩模验收工具/165 

8.4  材料测试工具/168 

习题/169 

参考文献/170

第9章  euv光刻成本

9.1  晶圆成本 /173 

9.2  掩模成本/181 

习题/182 

参考文献/182

第10章 未来的euv光刻

10.1  k【能走多低/184 

10.2  更高的数值孔径/186 

10.3  更短的波长/193 

10.4  euv多重成形技术/194 

10.5  euv光刻的未来/195 

习题/195 

参考文献/196

索 引